PG电子旗舰站巴莫科技申请富锂锰基正极材料相关专利提升放电比容量

发表时间:2024-09-26 18:11:31 浏览次数:

  专利摘要显示,本申请提供一种富锂锰基正极材料及其制备方法、正极极片●○●□▼=、电池和电子设备,富锂锰基正极材料包括锂镍锰氧化物;和包覆所述锂镍锰氧化物至少部分表面的包覆层,所述锂镍锰氧化物满足化学式Li1+x(Ni1‑zMnz)y‑bMbO2PG电子旗舰站,0

  天眼查知识产权信息显示,金融界2024年7月28日消息,申请日期为2024年4月。公开号 CN8.7,天津巴莫科技有限责任公司申请一项名为“富锂锰基正极材料及其制备方法PG电子旗舰站、正极极片PG电子旗舰站、电池和电子设备“PG电子旗舰站


上一篇 : pg电子平台网站项目推介84——曲靖经开区年产2万吨富锂锰基正极材料生产项目 下一篇 : pg电子网站力勤资源:火法+湿法双轮驱动占据镍业增长C位